与Si（硅）半导体相比，SiC（碳化硅）半导体的禁带宽度更大，因此，其击穿场强是Si半导体的10倍以上。相对于Si MOSFET支持在1,000V以内工作，SiC MOSFET则可在高达3,000V的高电压条件下工作。该手册将围绕以下内容诠释“改变世界的碳化硅功率元器件”。百闻不如一见，赶快点击下载官方资料进行全方面、多角度了解吧~

第4代SiC MOSFET拥有诸多优势，是第3代SiC MOSFET的沟槽栅结构的进一步演进，将导通电阻降低约40%，开关损失降低约50%。如果推进高电压化（400V和800V）和大容量化（50kW-350kW），能实现续航距离的延长和快速充电的时间缩短，减少能源损失。对转换器的开关频率高频化、负载变化率大，轻负载运转较多的EV有降低损耗的效果，使得续航距离延长，运行成本降低。

SiC功率半导体是在提高便利性的同时，EV、数据中心、基站、智能电网等高电压和大容量的应用中，是提高功率转换效率的关键功率设备。活用这些高速开关性能，对低导通电阻对功率转换效率的提高有很大的贡献。本应用笔记使用第4代SiC MOSFET，进行了基本的降压型DC-DC转换器的实机验证、EV的牵引逆变器模拟行驶试验，以及确Totem-pole PFC 的实机有用性。工程师朋友们，赶快点击获取应用手册吧~

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