IGBT栅极驱动器组合中，有双通道的，也有单通道的栅极驱动器。如果你的线圈直接连接到地，你可以使用低端驱动器。如果它与电路串联，那么请使用高边驱动器。
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IGBT栅极驱动器组合中，有双通道的，也有单通道的栅极驱动器。如果你的线圈直接连接到地，你可以使用低端驱动器。如果它与电路串联，那么请使用高边驱动器。
SFP0 到SFP3可以悬空，不接就好，NCSI对应接口可以拉高。
VCEsat 正温度系数，是并联IGBT的基本要求。在负载为75A时，VCEsat的温度系数是正的，这时对IGBT并联的使用是有利的。因为温度高的芯片VCEsat也会变高，会分得较少得电流，因此形成了一个负反馈，使静态均流趋于收敛。开关特性上，L5开关速度比较慢，同样也有利于动态均流。最大Ic目前对于L5芯片来说是75A.
VCNL3040发射管的导通压降在1.8V-2.3V,阻抗没有数据；负极可以悬空（因为内部有链接，但是最好悍上，这样能保持焊接的时候整个不飘逸）；检测距离通过设置PS_Duty（(0 : 0) = 1/40, (0 : 1) = 1/80, (1 : 0) = 1/160, (1 : 1) = 1/320）和PS_ IT（1T,1.5T,2T,2.5T,3T,3.5T,4T,8T,），调整IRED电流设置，最小距离2-3mm
适合。如图所示，SIC二极管从电流的变化及温度的变化来看，都是呈现正温度特性的，所以与硅材料超快恢复二极管（负温度特性）相比，SIC二极管适合并联使用。
