没有,需要购买EVM板使用GUI来烧录。
没有,需要购买EVM板使用GUI来烧录。
可以连结GND,也可以悬空,中间焊盘为散热点,建议接GND且双面过孔增加散
可以的,BQ24780S 在hybrid power boost mode支持适配器和电池混合供电
输出不建议有电压,因为在芯片没有通电前输出有电压很容易造成芯片损坏。
可以应用。当 EN_SUS_S3为低电平时、Q29A 关闭、Q29B 打开。 然后 EN_10V 被拉至 GND 以禁用 TPS5420;当 EN_SUS_S3为高电平时、Q29A 开启、Q29B 关闭。 然后 EN_10V 悬空以启用 TPS54202。
ISO 26262 ASIL D和AEC-Q100。
可以连接12个。
可以,有专门的热插拔测试报告。
艾睿有自已做英飞凌TLE9012DQU的板子,包括LTE9015和车规级MCU Traveo II和相应的代码。
可以支持5路外部NTC检测通道和2路内部温度检测通道。
每个电池通道都有专门的16位ADC,支持可选的测量模式。
可以支持,集成的均衡开关最大支持200mA电流。
可以通过TLE9015使用iso UART通信也可以直连通过UART进行通信。
通信速度可达2 Mbit/s。
TQFP-48。
1. RC Snubber电路最好不要用2512这样大的封装,在手搬运PCBA过程中PCB有可能受力弯曲,又因为焊盘大贴片电阻受损的可能性非常大。尤其是和应力形变方向一致的大尺寸贴片器件更容易受损。见下图实例:我们一般用1206封装,且与形变方向垂直排布,如果担心爬电距离的话,可以考虑用两个1206封装串联。
2. RC Snubber电路中C的主要作用是让尖峰电压(脉冲电压形式)通过,R的主要作用则是将通过的脉冲电压能量消耗掉,以避免可能的应力风险,同时对EMC有好处。RC的值最好通过实验来确定。想让电压尖峰更小一些C就选大一些,同时R的损耗公式是I^2*R,需要注意的是选定的封装尺寸相应的电阻的最大功耗就定了,设计中注意功率降额,否则容易损坏。
管子可以兼容+15V&-3V也可以兼容+12V&0V,驱动电压问题不大。
最好不要使用1N4148这样的快速管,寄生参数较大,还有反向恢复电流的问题。
需要指出的是:
① 图中的驱动芯片11脚和14脚之间的爬电距离是否能够满足电压等级,尤其是考虑要工作环境比较恶劣的话,污染等级为三级时;
② NC脚在艾默生公司设计中均用电阻拉到地的方式处理,避免悬空可能造成的一些影响;
③ 后级的SiC FET的驱动电路推荐的修改如下图所示:
原设计:
优化方案1:
还可以进一步优化为:
优化方案2:如果采用+12V&0V驱动供电模式的话,可以将驱动电路简化为:
驱动电路尽量靠近SiC FET,驱动走线以差分电路形式,一言以概之,短平直。